Fabbrica cinese per polvere di ossido di vanadio (IV) prezzo di fabbrica O5V2 CAS 12036-21-4 con prezzo all'ingrosso
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Il biossido di vanadio (VO2) è un ossido binario del sistema elettronico fortemente correlato. A causa delle forti interazioni tra i suoi elettroni interni, orbitali, reticolo e spin, i cambiamenti negli elettroni locali e nella struttura cristallina causati da piccoli stimoli esterni possono indurre il VO2 a subire una trasformazione metallica reversibile. La struttura cristallina, la resistenza, la trasmittanza infrarossa, l'indice di rifrazione e la suscettibilità magnetica del VO2 cambiano drasticamente. È proprio a causa della temperatura di transizione di fase vicina alla temperatura ambiente e degli improvvisi cambiamenti nelle proprietà fisiche e chimiche prima e dopo la transizione di fase che il VO2 ha una prospettiva di applicazione molto ampia in elettronica, militare, vita quotidiana e altri campi.
ITEM | STANDARD |
Aspetto | Polvere grigio scuro |
Dimensione delle particelle | 100-200 nm |
Si | 23:00 |
Fe | 23:00 |
S | 20 ppm |
As | 10 ppm |
Cr | 15 ppm |
Na | 20 ppm |
K | 24 ore al minuto |
Cl | 13:00 |
Zr | 5 ppm |
Al | 7 ppm |
Contenutot | ≥99,9% |
1.L'ambito di applicazione comprende finestre intelligenti a risparmio energetico, mimetizzazione del bersaglio, rettifica termica, interruttori RF, risonatori, driver, dispositivi sensibili alla temperatura e dispositivi di emissione di campo;
2.La transizione di fase VO2 fotoindotta è rapida e conveniente, il che è utile per studiare il processo di dinamica della transizione di fase. Le relative applicazioni dei dispositivi includono la memorizzazione ottica, tutti gli interruttori ottici, i fotorilevatori, i fototransistor, ecc.;
3. Il dispositivo di cambiamento di fase VO2 indotto dal campo elettrico ha una struttura semplice e ampie prospettive di applicazione. Può essere utilizzato come interruttore elettrico, transistor ad effetto di campo, oscillatore elettronico, memristor, interruttore RF, modulatore elettro-ottico, ecc;
4.La transizione di fase VO2 causata dal drogaggio ionico e dagli effetti elettrostatici in condizioni elettrochimiche può essere utilizzata nei transistor ionici liquidi ad effetto di campo e nei dispositivi elettrocromici;
5. Lo stress cambierà la costante reticolare VO2, modificando così la sua struttura elettronica per causare la transizione di fase e può essere utilizzato come sensore di stress flessibile;
6. Anche la suscettibilità magnetica del VO2 cambierà bruscamente nel processo di transizione di fase, il che lo rende potenzialmente prezioso nel campo della refrigerazione magnetica e dei dispositivi spintronici.
25 kg/tamburo, contenitore da 9 tonnellate/20'
25 kg/sacco, contenitore da 20 tonnellate/20'
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